製品概要
7N アンモニアは、純度 99.99999% の電子グレードの特殊ガスです。-これは主に高温高圧下で窒素と水素から合成され、その後、多段階の蒸留、吸着、精製プロセスが行われます。{4}}半導体、化合物半導体、高度なディスプレイ製造における重要なプロセス ガスとして、その超高純度は薄膜の品質、デバイスの性能、生産歩留まりを確保するために不可欠です。{6}{7} -水分、酸素、炭化水素、金属イオンなどの微量不純物でも-デバイスの欠陥につながる可能性があるため、7N アンモニアはハイエンド製造において不可欠なコア材料となっています。-
基本情報
| CAS番号 | 7664-41-7 |
| 国連番号 | UN1005 (アンモニア、無水、圧縮ガス) |
| 危険有害性の分類 | クラス2.3有毒ガス、クラス8腐食性物質 |
主要な属性とパラメータ
| 純度 | 99.99999%以上(7Nグレード) |
| 主要な不純物レベル (代表値、ppb) |
水分 (H₂O): 10 ppb 以下 酸素 (O₂): 5 ppb 以下 総炭化水素 (THC): 5 ppb 以下 金属イオン(Fe、Ni、Cu、Na、Kなど):0.01ppb以下 |
| 包装 | シリンダー、Y-シリンダー、ISO チューブ トレーラー(顧客のニーズに基づいてカスタマイズ可能) |
| 充填圧力 | 通常 20 ~ 50 bar (容器によって異なります) |
特徴と利点
超-高い純度と一貫性
多段階の精製技術とオンライン分析を利用して、7N アンモニアのすべてのバッチが一貫した純度および不純物レベルで最も厳しい半導体プロセス要件を満たしていることを確認します。
極めて低い粒子および金属汚染
0.003 μm までの末端濾過により、微粒子と金属イオンの含有量が最小限に抑えられ、敏感なチップ構造の汚染が防止されます。
安定したサプライチェーンと完全なトレーサビリティ
ガス源、精製、充填から分析テストまでの閉ループ制御を実装し、完全で追跡可能な品質検査レポート(CoA)を提供してサプライ チェーンのセキュリティを確保します。{0}
専門的な技術および安全サポート
顧客が 7N 高純度アンモニア ガスを安全かつ効率的に利用できるように、ガス使用ガイダンス、パイプライン設計、安全トレーニングなどの包括的なソリューションを提供します。-
機能特性
窒素源として
金属-有機化学気相成長法(MOCVD)などのエピタキシャル プロセスでは、7N-高純度アンモニア ガスが、窒化ガリウム(GaN)や窒化アルミニウム(AlN)などの III-V 族化合物半導体を成長させるための重要な窒素前駆体として機能します。
反応性ガスとして
半導体エッチングや窒化ケイ素 (Si₃N4) 薄膜堆積では、その高純度特性により、膜の均一性、低い欠陥密度、優れた電気的特性が保証されます。-
キャリアまたはドーピングガスとして
特定のプロセスでは、その純度がデバイスのしきい値電圧、移動度、および信頼性に直接影響を与える送達またはドーピングに使用できます。
主な応用分野
半導体製造
窒化シリコン/窒化チタンの堆積および III-V 族化合物半導体 (GaN、GaAs など) のエピタキシャル成長に使用されます。
ディスプレイ技術
OLED およびマイクロ LED ディスプレイの薄膜カプセル化および TFT バックプレーン製造における高純度窒素源として機能します。--
太陽光発電
高効率太陽電池(HJT、TOPCon など)のパッシベーション層の成膜に使用されます。{0}
研究と先端材料
新しい窒化物材料の開発、量子ドット合成、高純度窒化物の調製。-
お客様とのコラボレーション事例
当社は、世界をリードする第 3 世代半導体メーカー-と長期的な戦略的パートナーシップを確立しています。- GaN-on-Si パワー デバイスの量産ラインについて、お客様は、7N 高純度アンモニア ガス中の水分と金属不純物について、-限界に近い仕様を要求しました(水分は 5 ppb 以下、金属イオンは 0.005 ppb 以下)。-当社は専用の精製モジュールとオンライン モニタリング システムをカスタマイズし、専用パイプラインを介して中断のない汚染のない使用点-の供給-を実装しました。協業を通じて、供給された 7N 高純度アンモニア ガスにより、顧客はエピタキシャル ウェーハの欠陥密度を 30% 削減することができ、デバイスの歩留まりと信頼性が大幅に向上し、それによって高電圧パワー半導体市場における主導的な地位を確固たるものにした-。この事例は、統合された超-高純度ガス- ソリューションを提供する当社の強力な能力を実証しています。
よくある質問
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